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打印近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實驗室（籌）先進材料與結(jié)構(gòu)分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。據(jù)悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。
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