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中國鐵合金網(wǎng)訊：半導(dǎo)體材料瓶頸可望突破!臺灣科技部近日宣布，臺灣、日本、沙烏地阿拉伯等團(tuán)隊(duì)，已研究出單層二硫化鉬P-N接面，可望取代硅晶片成為新世代半導(dǎo)體核心元件，廣泛應(yīng)用在可穿戴設(shè)備及手機(jī)中。

這是全球第1個發(fā)表新世代半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)研究成果，不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中，交大研究團(tuán)隊(duì)透露，這項(xiàng)結(jié)果可望吸引臺積電更積極合作研究，以早日搶占全球市場商機(jī)。

在科技部大力支持“尖端晶體材料開發(fā)及制作計(jì)劃”科技預(yù)算下，半導(dǎo)體材料瓶頸有了重大突破。臺灣研究團(tuán)隊(duì)計(jì)劃主持人交大電子物理系教授張文豪指出，英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究，臺積電也積極與學(xué)界接洽合作，未來誰能搶先開發(fā)單層元件材料，就能在全球市場占有一席之地。

張文豪說，單層二硫化鉬是全球科學(xué)家認(rèn)為新世代半導(dǎo)體頗有潛力的材料，這次研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面，可望解決半導(dǎo)體元件制備關(guān)鍵問題。未來可廣泛應(yīng)用于極度微小化的電子元件，尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性，有潛力應(yīng)用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件，或手機(jī)應(yīng)用中。

臺灣科技部指出，二硫化鉬是繼石墨烯后，備受國際科學(xué)家關(guān)注層狀材料，單層二硫化鉬具有良好發(fā)光效率，極佳電子遷移率(可快速反應(yīng))與高開關(guān)比(電晶體較穩(wěn)定)，可用于未來新型低耗能邏輯電路，極有可能取代目前硅晶做下世代主要核心元件。國際半導(dǎo)體大廠如Intel、臺積電及三星等，最小元件技術(shù)約落在7～10納米間，而這項(xiàng)研究成果為二硫化鉬及相關(guān)無機(jī)二維材料電子學(xué)研究及應(yīng)用，將有助二硫化鉬等材料應(yīng)用在2納米半導(dǎo)體工藝技術(shù)中。

• [責(zé)任編輯：Zhang Xing]