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多晶硅作為光伏上游材料，伴隨著光伏行業(yè)的跌宕起伏，曾經(jīng)是有過輝煌的時(shí)期，不過都已經(jīng)過去了。

2015年下半年光伏下游開始高歌猛進(jìn)供不應(yīng)求，但是為什么多晶硅價(jià)格一路下行？個(gè)人分析，大行情雖然很好，但每種產(chǎn)品的走勢(shì)還是以各自環(huán)節(jié)的供應(yīng)關(guān)系決定的。多晶硅供大于求價(jià)格自然下滑。目前中國(guó)自主的多晶硅廠商供應(yīng)超過國(guó)內(nèi)需求5成以上，另外5成則靠著進(jìn)口滿足。

光伏本身是個(gè)新事物，國(guó)外發(fā)展早一些葉大根深，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)勢(shì)頭迅猛，雙方當(dāng)然就會(huì)有利益摩擦。

目前大家覺得開年后多晶硅價(jià)格一直上漲，但其實(shí)2015年硅料廠一直很艱難，多晶硅沒有到合理的價(jià)位，現(xiàn)在的價(jià)位沒法支撐行業(yè)穩(wěn)步前行；這段時(shí)間價(jià)格的波動(dòng)就有之前價(jià)格過低的后遺癥。加上現(xiàn)金成本都不足的情況下，又到年關(guān)，部分硅料廠的檢修和停產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)局面更加吃緊。

硅料為何沒與硅片價(jià)格同步？主要原因是硅片有硅片的市場(chǎng)，硅料有硅料的市場(chǎng)，雖然是上下游關(guān)系，但有各自供應(yīng)關(guān)系。即便單純的上下游傳導(dǎo)也存在時(shí)差和不同步的現(xiàn)象。價(jià)格水平保持的時(shí)間與投資的整體水平相關(guān)，上游再漲終但端不漲還是空的又被調(diào)節(jié)回去

問答階段：

1、多晶硅2016年會(huì)穩(wěn)定什么水平價(jià)格？

對(duì)于2016年，個(gè)人還是比較謹(jǐn)慎的，漲價(jià)漲不過需求，終端旺，中間環(huán)節(jié)存貨少，價(jià)格就容易動(dòng)。

2、硅烷法等國(guó)產(chǎn)化更成熟后，多晶硅有降價(jià)的更大空間？

看供需關(guān)系，如果上游發(fā)展速度超過下游了，價(jià)格肯定下調(diào)。硅料這個(gè)環(huán)節(jié)與下游不同，其實(shí)是典型的大化工，若無變革性的技術(shù)，短期成本下降空間較為有限。產(chǎn)能肯定是過剩的，共贏是硬道理，供需自會(huì)調(diào)節(jié)，硅料回到100以內(nèi)對(duì)行業(yè)有利，目前都在擴(kuò)鑄錠估計(jì)釋放要半年，不管上下游如何波動(dòng)，在供過于求的局面下，價(jià)格肯定趨近甚至低于成本。

現(xiàn)在多晶硅在系統(tǒng)的成本約為8.8%左右，我們不應(yīng)該把過多的精力僅僅關(guān)注在降低多晶成本方面，要尋找其他環(huán)節(jié)的成本下降來降低系統(tǒng)的整體投資，在短期大需求的刺激下產(chǎn)生的產(chǎn)能釋放問題導(dǎo)致的價(jià)格上漲只是短暫的，是不可持續(xù)的。

硅料價(jià)格的核心是設(shè)備折舊，其次是能耗，即工藝！硅料國(guó)內(nèi)與國(guó)外的價(jià)格差距在質(zhì)量和關(guān)稅。

3、國(guó)產(chǎn)硅料和進(jìn)口硅料的質(zhì)量差距？

國(guó)產(chǎn)硅料起步晚，但起步快！就如同現(xiàn)在鑄錠方面差距就不如幾年前明顯了�？赡茉谛〕叽绲墓枇仙夏切┎幻黠@的差距被放大些。但是國(guó)產(chǎn)這么大的市場(chǎng)份額本身說明問題，國(guó)內(nèi)廠家的產(chǎn)品在單晶工藝上還有提升空間，尤其是應(yīng)對(duì)N型單晶片單晶工藝上。單晶上的差距，具反饋多數(shù)還是品質(zhì)問題。

4、如何保證分類的各類硅料的純度？

純度有很多控制點(diǎn)，有原材料、破碎、現(xiàn)場(chǎng)保護(hù)等。比如行業(yè)內(nèi)瓦克的一級(jí)料在廠區(qū)是不經(jīng)過任何表面處理出來的，過程控制很重要。

5、電子級(jí)的需要清洗么？是純水洗嗎？

不光用純水。不是洗過就純，不經(jīng)過二次污染的是最好的。

6、電子級(jí)別是否需要清洗？

電子級(jí)，比如瓦克有清洗的，也有不清洗的。行業(yè)內(nèi)瓦克最好的電子級(jí)硅料是清洗的。多晶硅的破碎要免污染是其核心技術(shù)所在，原料破碎是瓦克的核心技術(shù)。

7、用電子級(jí)的硅料，片子未必就會(huì)更好。這個(gè)與拉晶鑄錠各生產(chǎn)環(huán)節(jié)有極大相關(guān)，效率和硅料純度不成正比關(guān)系。

8、顆粒料現(xiàn)在什么情況，成本在多少？是否會(huì)成為主流硅料。

關(guān)于顆粒料，行業(yè)中據(jù)我了解瓦克也在實(shí)驗(yàn)，個(gè)人不認(rèn)為會(huì)成為主流，但應(yīng)該會(huì)保有一定市場(chǎng)份額。如果要做的足夠好品質(zhì)，成本未必比西門子法便宜太多。不成為主流是因品質(zhì)和成本問題。其實(shí)REC的顆粒料有部分實(shí)際是可以接近電子級(jí)水平的。

題外衍生觀點(diǎn)：

國(guó)內(nèi)多晶硅料的標(biāo)準(zhǔn)是企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)來的，是原來有色院和中硅等企業(yè)參照標(biāo)準(zhǔn)建立的，國(guó)外的原料最早來自于美國(guó)，看一下美標(biāo)和國(guó)標(biāo)就能對(duì)比了。個(gè)人觀點(diǎn)，其實(shí)硅料的品質(zhì)重點(diǎn)在于硼含量、磷含量、碳含量以及少數(shù)金屬離子含量，尤其是Fe、Al。

先不說料出來洗不洗的問題，單純就硅芯就有問題，都知道，原生料是三氯氫硅氫氣反應(yīng)氣相沉積出來的，如果想要原料品質(zhì)好，三氯氫硅的脫磷和脫硼很關(guān)鍵，再有就是其他金屬離子的去除，碳來源于還原釜中碳夾具以及三氯氫硅中的殘留，國(guó)外硅芯的電阻一般都是大于3的，也就是說，硅芯的純度很好，單一雜質(zhì)。國(guó)內(nèi)的硅芯電阻很多都是低于1，而且硼磷都有，我們所說的雜質(zhì)實(shí)際上就是含有的硼磷，三氯氫硅脫磷比較容易，脫硼比較難。

所以很多廠家為了使料能夠使用，就采取高磷硅芯，含磷是N型，硼是P型。

當(dāng)硼未除凈的三氯氫硅氣體在還原釜中與高磷硅芯相遇，氣相沉積，就會(huì)產(chǎn)生合格的原生料，少數(shù)載流子和空穴正好互相填補(bǔ)，體現(xiàn)出硅料為N型，中性，P型高阻，所以一般看國(guó)內(nèi)的料，測(cè)PN型基本就可以看出料的狀況，加上斷面電阻的分布，基本可以判斷料的雜質(zhì)含量，如果再延伸，國(guó)內(nèi)的還原釜中夾住硅芯的一般是碳夾頭。知道國(guó)外的料是什么狀況嗎，一般都是顯示PN，也就是不顯導(dǎo)電類型。

補(bǔ)償以后的電阻還只有1歐姆的硅芯大多廠家不會(huì)釆用了，那是補(bǔ)償太狠了，這就好比是N重?fù)嚼锛优�，電阻率調(diào)起來。這個(gè)與測(cè)電阻率的設(shè)備有關(guān)，現(xiàn)在用的大多電阻率設(shè)備量程在0.01-200歐姆范圍可準(zhǔn)確測(cè)量，超出范圍是測(cè)不準(zhǔn)的。在原生塊料上的測(cè)試也是不準(zhǔn)確的，不是測(cè)不準(zhǔn)，而是測(cè)電阻是四探針，原生料沒有符合要求的平面；這個(gè)現(xiàn)象雖有好轉(zhuǎn)。但還沒有跳出這個(gè)框框。（4探針法測(cè)量電阻率的前提是:晶體硅；原生硅根本就不是晶體硅，所以沒法用四探針測(cè)量。）

對(duì)于硅芯，呈現(xiàn)電阻率影響的，有:磷、鋁、硼、以及硅芯在生長(zhǎng)時(shí)的磷硼擴(kuò)散，這樣影響硅芯電阻率。

1、硅烷法有做嗎？能做到幾個(gè)九？0.9999.

2、為什么多晶硅的氧碳含量比單晶中的要低很多?

氧，來自坩堝。熔融石英坩堝和陶瓷石英坩堝，工作機(jī)理不同。導(dǎo)致鑄錠和單晶氧含量差異。單晶用熔融，鑄錠用陶瓷。

3、涂層差別？

單晶由于生長(zhǎng)界面在溶液頂層，無法使用脫模劑來保護(hù)坩堝，否則脫模劑脫落，直接影響晶體生長(zhǎng)，所以必須使用高純石英坩堝作為載體，生產(chǎn)過程中約有0.1%的硅料重量的石英溶解到硅溶液中。為了保護(hù)石英坩堝，最終采用穩(wěn)定重金屬氫氧化鋇作為阻擋層穩(wěn)定石英網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

對(duì)于鑄錠用陶瓷坩堝，由于可以得到脫模劑保護(hù)，一半使用5N左右的石英砂加入網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)添加劑，制作陶瓷。單晶用石英，越純?cè)胶�。最高的是尤尼明的，可以達(dá)到5Ppm的金屬含量。

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